内存股恐慌蔓延，英伟达CEO黄仁勋反驳称：2029年内存供应过剩是伪命题，AI和HBM需求永无止境。独家专访实录

内存供应过剩的担忧正在搅动全球芯片市场，英伟达CEO黄仁勋却给出反向定调。据CNBC 2026年10月22日报道，黄仁勋在德国柏林GTC大会期间接受CNBC记者Arjun Kharpal独家专访，明确表示看不出2029年会出现内存供应过剩，因为AI应用对存储芯片的需求没有上限。他的发言恰逢内存股经历过去一周的剧烈抛售，被视为稳定市场情绪的关键信号。

黄仁勋：2029年内存供应过剩？"内存永远用不够"

黄仁勋在访谈中解释了他乐观判断的理由。"内存有个特点很好，就是你永远可以用更多。"他说。HBM（高带宽内存）作为AI加速卡的核心部件，在深度学习训练和推理任务中被大量消耗，这一趋势在未来数年不会逆转。换句话说，只要AI算力军备竞赛不熄火，内存的胃口就难以被填满。

黄仁勋还披露了一个细节：英伟达是全球第一家把LPDDR内存——即手机中常见的内存规格——部署进数据中心的公司。这项技术使英伟达产品的能效达到同类竞品的两倍。"我们将继续大量使用它们。"他对CNBC记者表示。法新社（AFP）与Getty Images的记者从巴黎跟拍到柏林，记录了黄仁勋在GTC欧洲行程中多次以"内存越用越多"回应投资者对行业周期见顶的疑问。

韩国专栏引爆"红海"警告：内存股一周承压

过去一周的抛售并非毫无缘由。10月15日，一篇发表在韩国主流媒体上的评论文章（由CNBC引述并翻译）援引两位行业专家的观点，警告AI繁荣可能正在逼近拐点。文章称，2029年市场将遭遇"新供应洪流"，内存市场可能变成"红海"，"超级周期可能结束，行业很可能进入下行"。

这篇专栏如同一颗石子投入水面，迅速引发市场连锁反应。SK海力士、三星电子、美光科技等主要内存制造商股价在五个交易日内明显下跌。尽管三家公司均未发布业绩预警，但投资者对供应过剩的担忧在情绪层面占了上风。值得注意，SpaceX和特斯拉CEO埃隆·马斯克也在社交媒体X上回应了这篇报道："中国将在2028年大量生产内存（RAM）。"这番话被广泛解读为供应端压力的又一信号。

长鑫存储技术突破：内存市场最受关注的新变量

除了韩国媒体的预警，中国厂商长鑫存储（CXMT）的新动态也放大了市场紧张情绪。CXMT公布了新的设计架构，该架构有望带来更高的存储生产效率。投资者担心，这家中国公司未来可能凭借性价比优势，从SK海力士、三星和美光手中抢走市场份额，打破高端存储市场延续多年的"三强格局"。

下表总结了从10月中旬至今影响内存市场走向的关键节点。

黄仁勋谈中国芯片：美国制裁反而加速自研

在CNBC的长篇专访中，黄仁勋罕见地谈到了地缘政治与半导体产业之间的复杂关系。他认为，美国针对中国的出口管制并没有真正拦住中国的技术追赶，反而刺激其加速自主研发。"由于这些管制，中国肯定加速了。"他说。

黄仁勋进一步指出："我们肯定加速了中国推进半导体制造能力国产化的进程，以及投入到该行业的全部产业支持。这是毫无疑问的。"他的观察触及一个市场共同关心的问题：美国芯片禁令越收越紧，中国存储与AI芯片的自给率却在提升，中国供应链在未来的半导体市场中会占据更加关键的位置。这也让长期内存供应过剩的推断变得不那么可靠——因为新玩家可能更快改变产能结构。

英伟达会用长鑫存储的内存吗？黄仁勋：保持开放

当CNBC记者Arjun Kharpal直接问及英伟达是否计划与长鑫存储合作、采用其内存产品时，黄仁勋的回答没有任何排他性。"我们保持开放。"他说，"我们与中国公司合作；几乎全世界都在供应链的某个环节与中国公司合作。"

他评价道："中国在基础技术设施方面非常出色，没有任何国家在制造能力上比中国更优秀，我们必须非常认真地对待他们的能力。"这些表态被外界解读为英伟达对中国存储供应商的接纳姿态。目前英伟达与SK海力士、三星等供应商关系紧密，但若长鑫存储的技术成熟度达到验证标准，英伟达的"开放心态"可能为供应链带来新的变数。

从HBM到LPDDR：黄仁勋眼中的内存需求新格局

黄仁勋在此次专访中反复强调一个技术趋势：内存产品正从传统DRAM向多样化规格方向演进。HBM凭借超高带宽成为AI训练芯片的标配；LPDDR的能耗优势则让它在推理和端侧部署场景中异军突起——英伟达率先将其引入数据中心，成为能效竞争的突破口。

黄仁勋预测，未来几年数据中心对两类内存都会"消耗巨大"。也就是说，即便某个细分规格出现阶段性供给过剩，另一个品类仍可能因为AI需求而供不应求。这种结构性分化，是评估2029年内存市场前景的关键维度。

常见问题：2029年内存市场怎么走？

Q1: 为什么黄仁勋认为2029年不会内存供应过剩？

A1: 他认为AI算力需求将长期保持高增长，训练和推理都对HBM、LPDDR等内存产品有巨大消耗，因此"内存永远可以用更多"。只要需求端不崩塌，供应增长便不足以构成全面过剩。

Q2: 内存供应过剩的风险来自哪里？

A2: 最大的风险点在供给端——包括长鑫存储在内的中国厂商快速扩产，以及韩国、美国、日本新建晶圆厂在2028-2029年集中投产。如果AI资本开支在那一刻放缓，供需平衡可能被打破，这正是市场目前担心的"红海"情景。

从2026年的视角看，内存市场正处在"高度繁荣叠加高度焦虑"的奇特并行期。黄仁勋关于2029年内存供应过剩的反驳，为市场提供了一根心理支柱；但最终结果取决于AI资本开支、中国产能与地缘管制三重变量的赛跑。未来三年，每一轮财报和每一座晶圆厂的投产进度，都在为这道题重新划定答案。